4月20日，北京化工大学讲师梁正良应邀访问我系并做客第449期“工物学术论坛”。梁正良博士面向全系师生作了题为“半导体探测器中的Migdal效应”的学术报告。本次学术论坛由杨丽桃老师主持，线上线下大约20名师生参加。

近年来，人们认识到在暗物质直接探测实验中，受到反冲的原子核中的核外电子未必能够足够快速地响应原子核的运动，即Born-Oppenheimer近似不再成立，因而暗物质粒子与原子核的散射会直接引起原子中电子的电离。该效应被称为Migdal效应。由Migdal效应所产生的电子电离信号具有比预期中更低的能量阈值，因而为sub-GeV轻暗物质粒子的探测提供了新的途径。Migdal效应的研究最开始是对孤立原子系统，对于更为复杂的半导体材料中巡游电子的Migdal效应至今仍然没有系统理论。不少暗物质探测实验如CDEX、EDELWEISS、SENSEI、DAMIC都是基于半导体探测器进行探测，对于半导体中巡游电子的Migdal效应的研究将给这些实验组提供Migdal效应的理论支持。

梁正良博士简要介绍了Migdal效应的原理和背景，对半导体材料中巡游电子的Migdal效应的计算做了详细的讲述，介绍了主要的计算方法分为：Wannier波函数计算法、类轫致辐射法（Bremsstrahlung-like）、虚声子媒介子法（Phonon-mediated）三种。通过对锗类探测器、3d层电子的计算及全电子波函数重建工作的介绍，大家了解了这方面研究工作的必要性和广阔前景。

梁正良博士的精彩讲座强烈地调动了听众们的热情，现场交流氛围浓烈。老师和同学们针对Migdal效应的测量、巡游电子的计算对实验方面的贡献、新的效应是否可在实验上观测等问题积极踊跃地进行了提问，梁正良博士都做了详细地解答。

梁正良博士作报告

注：

梁正良，北京化工大学讲师。2014年在中科院理论物理所获得博士学位。随后分别在中科院高能物理所，北京应用物理与计算数学所从事博士后研究。2019年入职北京化工大学。