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中国科学技术大学教授蔡辉山访问我系并做客第355期“工物学术论坛”
发布时间:2019-11-27

11月20日,中国科学技术大学蔡辉山教授应邀访问我系并做客第355期“工物学术论坛”。蔡辉山教授面向全系师生作了题为“高能量离子磁岛的物理机制 (The Physics of The Influence of Energetic Ions on Magnetic Island)的学术报告。本次学术论坛由高喆教授主持,大约30名师生参加。

蔡辉山教授在此次报告中介绍了高能量离子磁岛的物理机制。他在报告中指出存在两种影响撕裂模的途径:一种是改变磁岛外部的撕裂模稳定性判据,另一种是影响磁岛中平行电流的扰动。

这些思路在磁岛宽度远小于高能量离子轨道宽度的基础上,对高能量离子对磁岛演化的影响进行了系统化的研究。此外,基于准中性条件,衡越磁力线的非补偿电流在磁岛中产生,而该电流产生了平行的回归电流,而这又可能会补偿磁岛中的损失的自举电流。这种效应可能会变得十分显著,并且会部分甚至完全抵消自举电流的去稳效应。基于分析,在ITER弱磁剪切的运行模式下,提供了一种通过Co-CEI抑制新经典撕裂模的可能性。

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